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IXFN36N100 spec: 1000V HiPerFET power MOSFET single die MOSFET
IXFN36N100 Podobné
- IXFN100N10S3
- 100V HiPerFET power MOSFET with schottky diodes
- IXFN100N20
- 200V HiPerFET power MOSFET
- IXFN100N25
- 250V HiPerFET power MOSFET
- IXFN106N20
- 200V HiPerFET power MOSFET
- IXFN120N20
- 200V HiPerFET power MOSFET
- IXFN130N30
- 300V HiPerFET power MOSFET single die MOSFET
- IXFN13N80Q
- 800V HiPerFET power MOSFET Q-class
- IXFN150N10
- 100V HiPerFET power MOSFET
IXFN36N100 Datasheet a Spec
Výrobcem : IXYS
Balení : SOT-227B
Špendlíky : 4
Teplota : Min -55 °C | Max 150 °C
Velikost : 134 KB
Aplikace : 1000V HiPerFET power MOSFET single die MOSFET
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