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IXFN55N50 spec: 500V HiPerFET power MOSFET
IXFN55N50 Podobné
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- 100V HiPerFET power MOSFET with schottky diodes
- IXFN100N20
- 200V HiPerFET power MOSFET
- IXFN100N25
- 250V HiPerFET power MOSFET
- IXFN106N20
- 200V HiPerFET power MOSFET
- IXFN120N20
- 200V HiPerFET power MOSFET
- IXFN130N30
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- IXFN13N80Q
- 800V HiPerFET power MOSFET Q-class
- IXFN150N10
- 100V HiPerFET power MOSFET
IXFN55N50 Datasheet a Spec
Výrobcem : IXYS
Balení : SOT-227B
Špendlíky : 4
Teplota : Min -55 °C | Max 150 °C
Velikost : 424 KB
Aplikace : 500V HiPerFET power MOSFET
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