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JAN1N3671RA spec: 12A silicon power rectifier, 800V
JAN1N3671RA Podobné
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- 12A silicon power rectifier, 200V
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- 12A silicon power rectifier, 400V
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- 12A silicon power rectifier, 600V
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- JAN1N3673A
- 12A silicon power rectifier, 1000V
JAN1N3671RA Datasheet a Spec
Výrobcem : Microsemi
Balení : DO4
Špendlíky : 2
Teplota : Min -65 °C | Max 150 °C
Velikost : 116 KB
Aplikace : 12A silicon power rectifier, 800V
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