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JANTX1N3671RA spec: 12A silicon power rectifier, 800V
JANTX1N3671RA Podobné
- JANTX1N1202A
- 12A silicon power rectifier, 200V
- JANTX1N1204RA
- 12A silicon power rectifier, 400V
- JANTX1N1206A
- 12A silicon power rectifier, 600V
- JANTX1N1206RA
- 12A silicon power rectifier, 600V
- JANTX1N3671A
- 12A silicon power rectifier, 800V
- JANTX1N3671RA
- 12A silicon power rectifier, 800V
- JANTX1N3673A
- 12A silicon power rectifier, 1000V
- JANTX1N4148-1
- Rectifier diode, 100V
JANTX1N3671RA Datasheet a Spec
Výrobcem : Microsemi
Balení : DO4
Špendlíky : 2
Teplota : Min -65 °C | Max 150 °C
Velikost : 116 KB
Aplikace : 12A silicon power rectifier, 800V
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