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MTE125N20E spec: ISOTOP TMOS E-FET power field effect transistor
MTE125N20E Podobné
- MTE125N20E
- ISOTOP TMOS E-FET power field effect transistor
MTE125N20E Datasheet a Spec
Výrobcem : Motorola
Balení : SOT
Špendlíky : 4
Teplota : Min -40 °C | Max 150 °C
Velikost : 250 KB
Aplikace : ISOTOP TMOS E-FET power field effect transistor
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