MTP4N50E Podobné

  • MTP40N10E
    • TMOS E-FET power field effect transistor
  • MTP4N40E
    • TMOS E-FET power field effect transistor
  • MTP4N50E
    • TMOS E-FET high energy power FET
  • MTP4N80E
    • TMOS E-FET power field effect transistor

MTP4N50E Datasheet a Spec

Výrobcem : Motorola 

Balení :  

Špendlíky : 4 

Teplota : Min -55 °C | Max 150 °C

Velikost : 279 KB

Aplikace : TMOS E-FET high energy power FET 

MTP4N50E PDF Download