Cesta:OKDatasheet > Semiconductor list > Philips Datasheet > IRF830
IRF830 spec: 500 V, Power MOS transistor avalanche energy rated
IRF830 Datasheet a Spec
Výrobcem : Philips
Balení : SOT
Špendlíky : 3
Teplota : Min -55 °C | Max 150 °C
Velikost : 63 KB
Aplikace : 500 V, Power MOS transistor avalanche energy rated
IRF830 PDF Download