PHB73N06T Podobné

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    • 55 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
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  • PHB78NQ03LT
    • 25 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor
  • PHB7N60E
    • 600 V, power MOS transistor avalanche energy rated

PHB73N06T Datasheet a Spec

Výrobcem : Philips 

Balení : SOT 

Špendlíky : 3 

Teplota : Min -55 °C | Max 175 °C

Velikost : 290 KB

Aplikace : 55 V, N-channel enhancement mode field-effect transistor 

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