Cesta:OKDatasheet > Semiconductor list > Philips Datasheet > PHX8N50E
PHX8N50E spec: 500 V, power MOS transistor avalanche energy rated
PHX8N50E Datasheet a Spec
Výrobcem : Philips
Balení : SOT
Špendlíky : 3
Teplota : Min -55 °C | Max 150 °C
Velikost : 81 KB
Aplikace : 500 V, power MOS transistor avalanche energy rated
PHX8N50E PDF Download