Cesta:OKDatasheet > Semiconductor list > Polyfet RF Datasheet > L2801
L2801 spec: 15 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
L2801 Podobné
- L2801
- 15 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
L2801 Datasheet a Spec
Výrobcem : Polyfet RF
Balení : SO
Špendlíky : 2
Teplota : Min -65 °C | Max 150 °C
Velikost : 46 KB
Aplikace : 15 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
L2801 PDF Download