Cesta:OKDatasheet > Semiconductor list > Polyfet RF Datasheet > L8701P
L8701P spec: 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
L8701P Podobné
- L8701P
- 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
L8701P Datasheet a Spec
Výrobcem : Polyfet RF
Balení : SO-8
Špendlíky : 8
Teplota : Min -65 °C | Max 150 °C
Velikost : 46 KB
Aplikace : 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
L8701P PDF Download