Cesta:OKDatasheet > Semiconductor list > Polyfet RF Datasheet > L8801P
L8801P spec: 10 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
L8801P Datasheet a Spec
Výrobcem : Polyfet RF
Balení : SO-8
Špendlíky : 8
Teplota : Min -65 °C | Max 150 °C
Velikost : 43 KB
Aplikace : 10 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
L8801P PDF Download