Cesta:OKDatasheet > Semiconductor list > Polyfet RF Datasheet > LB401
LB401 spec: 130 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LB401 Podobné
- LB401
- 130 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LB401 Datasheet a Spec
Výrobcem : Polyfet RF
Balení :
Špendlíky : 4
Teplota : Min -65 °C | Max 150 °C
Velikost : 41 KB
Aplikace : 130 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LB401 PDF Download