Cesta:OKDatasheet > Semiconductor list > Polyfet RF Datasheet > LQ801
LQ801 spec: 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LQ801 Podobné
- LQ801
- 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LQ801 Datasheet a Spec
Výrobcem : Polyfet RF
Balení :
Špendlíky : 4
Teplota : Min -65 °C | Max 150 °C
Velikost : 38 KB
Aplikace : 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LQ801 PDF Download