LX802 Podobné

  • LX802
    • 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
  • LX803
    • 45 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor

LX802 Datasheet a Spec

Výrobcem : Polyfet RF 

Balení :  

Špendlíky : 2 

Teplota : Min -65 °C | Max 150 °C

Velikost : 40 KB

Aplikace : 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor 

LX802 PDF Download