IRF841F1 Podobné

  • IRF820
    • N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 3.0A
  • IRF820
    • N-CHANNEL 500V - 2.5 OHM - 2.5A - TO-220 POWERMESH MOSFET
  • IRF820FI
    • N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 2.2A
  • IRF821
    • N-channel MOSFET, 450V, 2.5A
  • IRF821FI
    • N-channel MOSFET, 450V, 2.0A
  • IRF822
    • N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 2.8A
  • IRF822FI
    • N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 1.9A
  • IRF823
    • "N-channel MOSFET, 450V, 2.2A"

IRF841F1 Datasheet a Spec

Výrobcem : ST Microelectronics 

Balení : ISOWATT220 

Špendlíky : 3 

Teplota : Min -65 °C | Max 150 °C

Velikost : 367 KB

Aplikace : N-channel HEXFET, 450V, 4.5A 

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